IPB019N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPB019N08NF2SATMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3 |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $3.27 |
10+ | $2.933 |
100+ | $2.4034 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 194µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3 |
Serie | StrongIRFET™ 2 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95mOhm @ 100A, 10V |
Verlustleistung (max) | 250W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8700 pF @ 40 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 186 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 166A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPB019N |
IPB019N08N3G INFINEON
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
IPB019N08N3 G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
INFINEON TO-263-7L
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IPB019N08N3 Infineon
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
INFINEON TO-263
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
INFINEON TO-263
IPB019N06L3G I
INFINEON TO-263
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPB019N08NF2SATMA1Infineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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