Name: Infineon Technologies IPB019N08NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB019N08NF2SATMA1
Price: 2.4034 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (257 reviews)

Infineon Technologies IPB019N08NF2SATMA1

Artikelnummer:

IPB019N08NF2SATMA1

Hersteller / Marke:

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

Teil der Beschreibung.:

TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3

Datenblätte:

None

RoHs Status:

ROHS3 -konform

ECAD -Modell:

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Spezifikationen
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Verpackung

~~Infineon Technologies IPB019N08NF2SATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPB019N08NF2SATMA1.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	3.8V @ 194µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PG-TO263-3
Serie	StrongIRFET™ 2
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.95mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)	250W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8700 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	186 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	166A (Tc)
Grundproduktnummer	IPB019N

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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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